





電阻應(yīng)變片壓力傳感器、壓阻式壓力傳感器、半導(dǎo)體應(yīng)變片壓力傳感器、電容式壓力傳感器、電感式壓力傳感器等等都屬于壓力傳感器的一種,這些傳感器的基本原理都是一致的,只不過用來感知壓力的部件和方式有所不同,其中壓阻式壓力傳感器因為價格低廉、性能良好而被應(yīng)用地廣泛
半導(dǎo)體壓力傳感器應(yīng)運而生,它更輕便、更準(zhǔn)確,更能適應(yīng)環(huán)境,逐漸取代了傳統(tǒng)壓力傳感器。

多晶硅電阻膜的準(zhǔn)確阻值
此外,與單晶硅壓阻相比,多晶硅壓阻膜可以在不同的材料襯底上制作,如在介電體(SiO2、Si3N4)上。其制備過程與常規(guī)半導(dǎo)體工藝兼容,且無PN結(jié)隔離問題,因而適合更高工作溫度(t≥200℃)場合使用。在相同工作溫度下,多晶硅壓阻膜與單晶硅壓阻膜相比,可更有效地抑制溫度漂移,有利于長期穩(wěn)定性的實現(xiàn)。多晶硅電阻膜的準(zhǔn)確阻值可以通過光刻手段獲得。 綜上所述,多晶硅膜具有較寬的工作溫度范圍(-60~+300℃),可調(diào)的電阻率特性、可調(diào)的溫度系數(shù)、較高的應(yīng)變靈敏系數(shù)及能達(dá)到準(zhǔn)確調(diào)整阻值的特點。所以在研制微傳感器和微執(zhí)行器時,利用多晶硅膜這些電學(xué)特性,有時比只用單晶硅更有價值。例如,利用機(jī)械性能優(yōu)異的單晶硅制作感壓膜片,在其上覆蓋一層介質(zhì)膜SiO2,再在SiO2上淀積一層多晶硅壓阻膜。這種混合結(jié)構(gòu)的微型前室壓差控制器作用,發(fā)揮了單晶硅和多晶硅材料各自的優(yōu)勢,其工作高溫至少可達(dá)200℃,甚至300℃;低溫為-60℃。



